Proizvođač Broj proizvoda:
IPU135N03L G
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPU135N03L G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12803708
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPU135N03L G Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
30A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1000 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
31W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO251-3
Paket / slučaj
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovni broj proizvoda
IPU135N
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,500
Ostala imena
IPU135N03LGIN
IPU135N03LGXK
SP000260752
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPB05CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
IPL65R340CFDAUMA1
MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK
IRFS3306TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
